第1章 射频微波功率晶体管 1.1 引言 1.2 晶体管建模过程概述 1.3 高功率晶体管的商业应用回顾 1.4 硅器件技术发展 1.5 复合半导体（Ⅲ-Ⅴ族）器件技术发展 1.6 FET基本工作原理 1.7 封装 1.8 未来发展趋势与方向 附录A MESFET中fT的推导 参考文献第2章 高功率FET集约模型导论 2.1 引言 2.2 物理建模 2.3 集约模型 2.4 记忆效应 2.5 结论 参考文献第3章 电气测量技术 3.1 引言 3.2 电参考面 3.3 测量环境 3.4 模型提取的测量 3.5 验证过程的测量 参考文献第4章 无源器件：仿真和建模 4.1 引言 4.2 封装 4.3 键合引线 4.4 MOS电容建模 4.5 分割技术应用举例 参考文献第5章 热特性分析与建模 5.1 引言 5.2 热传递的方式 5.3 热量测量 5.4 热仿真 5.5 集约模型 参考文献第6章 有源晶体管的建模 6.1 介绍 6.2 复合管与外部各种元件的建模 6.3 标度考虑 6.4 本征晶体管的建模 6.5 在晶体管模型中的频率离散效应 6.6 包含统计变化的集约模型 6.7 结束语 参考文献第7章 集约模型的函数逼近 7.1 引言 7.2 函数及函数逼近的特性 7.3 函数逼近的实用方法 7.4 结论 参考文献第8章 模型在CAD工具中的应用 8.1 引言 8.2 各类仿真器回顾 8.3 模型执行过程概述 8.4 模型验证过程 8.5 模型执行的类型 8.6 建立一个模型库 8.7 模型可移植性及其未来发展趋势 参考文献第9章 模型验证 9.1 引言 9.2 模型的不确定性和误差来源 9.3 对于功率放大器设计的验证标准 9.4 通过测量验证模型 参考文献缩略语